Description:
基板尺寸:2”-6”Wafer或其他尺寸
基板加温:300-Max 950℃
自动镀膜制程
Doping RF 13.56MHz射频电源:300-1000W
材料:AI2O3，HFO2，ZrO2,TiO2,MgO,ZnO,LaO2,AI, Ti ...etc.,
气体:Ar,N2,NH3, H2 ... etc.,
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