在半导体制造的 “神秘王国” 里，每一片指甲盖大小的晶圆上，都承载着数十亿个精密元器件。而决定这些元器件性能的关键一环，正是薄膜沉积设备 —— 它们如同 “纳米级裁缝”，为芯片披上厚度仅为头发丝万分之一的功能性薄膜。今天，我们就来聊聊这个撑起半导体产业的核心领域。

在 3D NAND 闪存、FinFET 晶体管等先进制程中，原子层沉积设备堪称 “精度王者”。它通过逐原子层生长的方式，实现仅 0.1nm 的厚度控制，相当于在一根头发丝上堆叠 20 万层薄膜。适用于 5nm 制程的沉积设备正成为行业焦点。随着芯片制程向 5nm 及以下演进，传统沉积技术的均匀性难题愈发凸显，而 ALD 凭借独特的自限制反应机制，在极窄沟槽（如深宽比 50:1 的 3D 结构）内仍能保持薄膜厚度偏差＜1%。这对于制造密度更高的存储芯片和性能更强的逻辑芯片至关重要。

毅睿-芯壹方自主研发微波等离子体辅助原子层沉积系统

厦门毅睿科技有限公司、厦门芯壹方科技有限公司自主研发生产的微波等离子体辅助原子层沉积系统（MPALD），可实现＜±3%的均匀沉积，微波频率：2.45±0.025 GHz，微波功率:≥3KW连续可调。

毅睿-芯壹方原子层沉积（ALD）系统

在半导体薄膜沉积设备市场，CVD 家族占据近 40% 的份额，从硅片制造的外延层生长，到芯片封装的 TSV 通孔填充，处处都有它的身影。PECVD（等离子体增强 CVD）在低 k 介质薄膜制备中不可或缺，而 MOCVD（金属有机 CVD）则是氮化镓等第三代半导体材料的核心装备。以纳米级氧化铝薄膜沉积工艺为例，通过优化 CVD 的温度（400-600℃）、气体流量（50-200sccm）等参数，可将薄膜的介电损耗降低 15%，有效提升功率芯片的高频性能。

毅睿-芯壹方化学气相沉积

曾几何时，全球薄膜沉积设备市场被美日荷三巨头（应用材料、东京电子、泛林集团）垄断，市占率超过 80%。但近年来，中微公司、拓荆科技等国产厂商加速崛起，在 28nm 及以上制程领域实现突破，部分设备的技术参数已接近国际一流水平。第三代半导体沉积设备需求的爆发，为国产厂商带来新机遇。在碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体领域，国内企业针对高温沉积（1000℃以上）、高纯度气体控制（杂质＜0.1ppm）等难点展开攻关，部分设备的性价比已比进口产品高 20%-30%。

从纳米级精度的原子层沉积，到支撑第三代半导体的化学气相沉积，再到如火如荼的国产化进程，薄膜沉积设备的每一次技术迭代，都在重塑半导体产业的格局。当芯片制造进入 “后摩尔时代”，这些 “纳米级工匠” 将如何破解更高难度的沉积难题？让我们拭目以待。

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