随着 Chiplet 技术的兴起，先进封装（如 CoWoS、Fan-Out）成为半导体产业的新增长极。薄膜沉积设备在再分布层（RDL）、微凸块（Microbump）和钝化层制备中发挥着关键作用。

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RDL 是 Chiplet 互连的核心，需在硅基板上沉积多层金属和介电薄膜。PVD 设备通过磁控溅射技术实现铜、铝等金属的纳米级沉积，薄膜厚度均匀性误差需控制在 ±1% 以内。迈为股份的 PVD 设备支持 Fan-Out 封装中的 RDL 沉积，2024 年新签订单达 2 亿元，预计 2025 年将增至 8 亿元。

微凸块（如 Cu、SnAg）的沉积需兼顾精度和产能。电镀工艺结合 PVD 种子层（Seed Layer）成为主流方案， PVD 设备可沉积 5nm 厚的铜种子层，粗糙度＜0.5nm，支持微凸块高度控制在 5-50μm。2023 年全球先进封装薄膜沉积设备市场规模达 45 亿美元，预计 2028 年将突破 100 亿美元。

钝化层（如 SiNx、Al₂O₃）用于保护芯片表面，防止氧化和机械损伤。ALD 设备通过原子层沉积实现纳米级钝化层制备，厚度均匀性误差＜±3%，已应用于台积电的 3D Fabric 封装技术。ALD 设备在钝化层沉积中表现优异，2024 年出货量预计突破 1000 个反应腔，支持 2.5D/3D 集成芯片量产。

混合键合（Hybrid Bonding）技术的兴起对薄膜沉积设备提出更高要求。该工艺需在铜 / 铜或铜 / 介质表面实现原子级键合，ALD 设备用于表面钝化和键合层沉积，套准精度需达到亚微米级。根据 Yole 预测，2028 年全球混合键合设备市场规模将达 15 亿美元，薄膜沉积设备占比超过 40%。

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