在半导体产业的发展进程中,逻辑芯片始终处于技术革新的前沿阵地。而原子层沉积设备,凭借其独特的技术优势,成为了推动逻辑芯片性能飞跃的关键力量。
近年来,全球半导体产业持续升温,2023 年全球半导体设备市场规模约为 1063 亿美元,薄膜沉积设备市场规模约达 211 亿美元 ,其中原子层沉积设备在逻辑芯片制造中扮演着不可或缺的角色。随着摩尔定律的持续演进,芯片制造商不断追求更高的集成度和更低的功耗,这对逻辑芯片的制造工艺提出了更高要求。
原子层沉积(ALD)技术基于表面化学反应,能够实现单原子层精度的薄膜生长控制。在逻辑芯片制造中,原子层沉积设备通过精确沉积高质量的高 k 电介质薄膜和金属电极薄膜,对晶体管的栅极结构进行优化。这种优化效果显著,有效减少了漏电电流,大幅提高了芯片的运行速度和能源效率。在 7nm 及以下制程的逻辑芯片生产线上,原子层沉积设备已然成为核心装备。例如,在先进制程芯片中,原子层沉积设备精确控制栅极氧化层薄膜的生长,使得晶体管的性能得到极大提升,从而助力芯片制造商突破技术瓶颈,实现逻辑芯片性能的跨越式发展。
厦门毅睿科技-芯壹方 微波等离子体辅助原子层沉积系统(MPALD)
从市场应用情况来看,原子层沉积设备在逻辑芯片制造领域的应用越来越广泛。它不仅满足了当下对高性能逻辑芯片的需求,更为未来逻辑芯片技术的进一步发展奠定了坚实基础。随着半导体技术不断向更小制程、更高性能迈进,原子层沉积设备将继续在逻辑芯片性能提升的道路上发挥关键作用,为行业带来更多的惊喜与突破。
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