在半导体制造的多元化需求中,热蒸发设备以 “结构简单 + 快速成膜” 成为中小规模生产的优选。2023 年全球热蒸发设备市场规模达 9 亿美元,其中科研院所与特殊应用场景采购占比超 40%,其灵活性在新型材料研发、小批量生产中不可替代。
热蒸发设备通过电阻加热(温度 500-1500℃)或电子束加热,使金属(如金、铝)或有机物蒸发,在真空环境(10^-4 Pa)中沉积到晶圆表面。其核心优势包括:
· 快速成膜:沉积速率可达 100nm/min,适合紧急打样;
· 多材料兼容:可沉积金属、介质、有机半导体等多种材料;
· 低成本维护:设备采购成本仅为 PVD 的 1/5,适合预算有限的场景。
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在量子点发光二极管(QLED)研发中,热蒸发设备用于逐层沉积量子点薄膜与电极,通过精确控制蒸发速率(1-5nm/s)与厚度(误差<3%),可制备出发光波长偏差<5nm 的量子点层,助力新型显示技术突破。某高校利用热蒸发设备开发的柔性 QLED 显示屏,弯曲半径<10mm,发光效率达 30cd/A,相关成果发表于《自然・光子学》。
在小批量生产的 GaN 射频功率器件中,热蒸发设备用于沉积金天线薄膜,厚度 500nm,均匀性误差<2.5%,成本较溅射工艺低 60%。尽管沉积速率略低于溅射,但对于月产能<500 片的产线,热蒸发的综合成本优势显著,已被国内某军工企业用于特种射频芯片生产。
国产厂商通过引入 PLC 自动控制系统与石英晶体振荡监测,将薄膜厚度控制精度从 ±5% 提升至 ±1.5%,同时开发出多源共蒸发功能,可同步沉积多种材料的多层薄膜。2023 年某国产热蒸发设备在上海微技术工业研究院(SITRI)投入使用,支持 MEMS、光电子等多领域研发,设备价格仅为进口同类产品的 60%。
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结语:在追求 “大规模量产” 的半导体行业,热蒸发设备以 “小而美” 的姿态守护着创新的火种。无论是实验室里的新材料探索,还是特殊场景下的小批量生产,它都是连接创意与现实的桥梁,而国产厂商的智能化升级,正让这座桥梁更加稳固。
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