在半导体设备国产替代的浪潮中，沉积设备是攻坚的关键战场。中国电子专用设备工业协会数据显示，2023 年国产薄膜沉积设备市场占有率达 23%，较 2020 年的 12% 显著提升，其中 28nm 及以上制程设备已实现规模化应用。
国家大基金二期向沉积设备领域倾斜，2023 年相关研发投入超 50 亿元。国产厂商在 PECVD、LPCVD 等成熟设备上实现突破：某国产 PECVD 设备在中芯国际 28nm 产线的薄膜均匀性达 ±1.8%，颗粒污染＜5 个 / 晶圆（300mm），良率稳定在 96%，成本较进口设备低 30%。在 ALD 领域，国产设备已实现 28nm 高 k 介质沉积的工艺开发，进入客户验证阶段。
厦门毅睿科技-芯壹方 电浆辅助化学气相沉积系统(PECVD)
在功率半导体与先进封装领域，国产沉积设备已占据优势。2023 年国产 LPCVD 设备在 IGBT 制造中的市场占有率达 35%，某厂商的设备通过车规级认证，薄膜应力控制误差＜±5MPa，满足 AEC-Q100 标准。在先进封装领域，国产 ECD 设备的 TSV 通孔填充良率达 99.5%，被长电科技、通富微电采购，成本较进口设备低 40%。
国产厂商正带动靶材、气体等配套产业发展。某国产磁控溅射设备采用国产钛靶材（纯度 99.995%），薄膜杂质含量＜1×10^18 atoms/cm³，与进口靶材性能持平，成本降低 20%。在气体纯化领域，国产高纯氨（纯度 99.9999%）已通过中芯国际验证，替代日本住友化学的产品，价格低 15%。
尽管进步显著，国产设备在 5nm 以下制程的 ALD、EUV 相关薄膜工艺仍处空白，核心零部件（如真空泵、射频电源）国产率不足 15%。但行业共识认为，随着国产厂商在研发投入（平均研发费率 28%）与人才储备上的持续加码，2025 年有望实现 14nm 制程设备的全面验证，2030 年全球市场占有率突破 30%。
厦门毅睿科技-芯壹方 卷对卷电浆辅助化学气相沉积系统(PECVD)
结语：半导体设备的国产替代不是单一场景的突破，而是从设备、材料到工艺的全链条升级。沉积设备领域的本土厂商用 28nm 的 “成熟突破” 奠定基础，以先进封装与功率半导体为支点，正在撬动全球产业链格局的改变，这是一场耐力赛，更是中国半导体自主可控的必经之路。
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