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原子层沉积(ALD)技术凭借其独特的自限制表面化学反应原理,在诸多行业中发挥着关键作用。而不同类型的 ALD 设备在性能和应用领域上存在显著差异,以满足多样化的工业需求。
一、按反应机理分类的设备差异
1.1 热 ALD 设备
热 ALD 设备是最基础的 ALD 设备类型。其工作原理基于热驱动的化学反应,在相对较高的温度环境下(通常为 200 - 500℃),前驱体分子被加热气化后,交替通入反应腔室与基底表面发生化学吸附反应。例如在沉积氧化铝薄膜时,铝源前驱体(如三甲基铝,TMA)和氧源前驱体(如水汽,H₂O)在基底表面依次进行反应,通过精确控制反应温度、气体脉冲时间和循环次数,实现原子级别的薄膜生长。
性能方面,热 ALD 设备的优势在于能够沉积出高度纯净、结晶质量良好的薄膜,因为热反应有助于前驱体分子充分反应,减少杂质残留。同时,其薄膜的台阶覆盖率和厚度均匀性表现出色,在具有高深宽比的纳米结构(如半导体通孔、MEMS 器件深槽)中,仍能保持优异的台阶覆盖率(>95%)与厚度均匀性(±5% 以内)。然而,热 ALD 设备也存在局限性,较高的反应温度限制了其在对温度敏感基底材料(如部分塑料、有机材料)上的应用,且沉积速率相对较慢,通常 < 0.1nm/min,这在一定程度上影响了生产效率。
在应用领域上,热 ALD 设备广泛应用于半导体制造中的高 k 介质层沉积,如在 10nm 及以下制程的芯片中,沉积 HfO₂、ZrO₂等高 k 材料作为栅极氧化层,有效降低栅极漏电流,提升晶体管性能与芯片集成度。在光伏产业中,热 ALD 设备可用于制备硅基电池表面的钝化膜,如 PERC 电池中的 Al₂O₃钝化膜,减少光生载流子复合,提高电池光电转换效率。此外,在催化材料领域,热 ALD 设备可在多孔载体表面沉积活性金属原子,制备高活性的纳米催化剂。
1.2 等离子体增强 ALD(PE - ALD)设备
PE - ALD 设备引入了等离子体技术,通过等离子体激发前驱体分子,使其在较低温度下(通常为 50 - 300℃)就能发生反应,极大地拓展了 ALD 技术的应用范围。在 PE - ALD 过程中,等离子体源(如射频等离子体、微波等离子体)将前驱体气体激发成活性离子或自由基,这些活性物种与基底表面反应活性更高,沉积速率更快。
来源:厦门毅睿科技有限公司面向7nm以下先进工艺的微波等离子体增强原子层沉积(MW-PEALD)系统
性能上,PE - ALD 设备的突出优势是能够在低温下进行薄膜沉积,这使得它可以在对温度敏感的基底上,如柔性电子器件的塑料衬底、生物医疗领域的聚合物材料上实现高质量薄膜沉积。同时,由于等离子体的激发作用,PE - ALD 设备的沉积速率相较于热 ALD 设备有显著提升,可达到 0.1 - 0.5nm/min 甚至更高。此外,通过调节等离子体参数(如功率、频率、气体流量比等),能够精确调控薄膜的成分、结构和性能,制备出具有特殊性能的薄膜,如具有特定取向的晶体薄膜、梯度成分薄膜等。不过,等离子体的引入也可能带来一些问题,如等离子体中的高能粒子可能对基底表面造成一定损伤,需要精确控制等离子体参数以避免这种情况。
应用领域方面,PE - ALD 设备在半导体制造的先进封装工艺中具有重要应用,可用于制备高质量的阻挡层和互连层薄膜,提升 3D IC 封装的电气可靠性与热稳定性。在新型显示技术中,如 OLED、Micro - LED 显示,PE - ALD 设备可在低温下在玻璃或塑料衬底上沉积有机功能薄膜和无机薄膜,用于改善显示性能、提高器件寿命。在生物医疗领域,PE - ALD 设备用于在生物传感器表面沉积敏感薄膜,提升传感器对疾病标志物的检测灵敏度与选择性;在植入器械表面沉积生物相容性薄膜,降低免疫反应风险,延长器械使用寿命。
1.3 光辅助 ALD 设备
光辅助 ALD 设备利用光辐射(如紫外光、可见光)来促进前驱体分子的反应。光的作用可以降低反应活化能,使反应在更温和的条件下进行,同时能够实现对薄膜生长过程的精确控制。在光辅助 ALD 过程中,光照射到前驱体分子或基底表面,激发分子内的电子跃迁,产生激发态分子,这些激发态分子具有更高的反应活性,从而加速薄膜沉积过程。
从性能来看,光辅助 ALD 设备的优势在于能够实现更精准的薄膜生长控制,通过调节光的波长、强度和照射时间,可以精确调控薄膜的生长速率、厚度和成分。例如,在制备纳米结构的薄膜时,光的局域作用可以实现选择性区域沉积,制备出具有复杂图案的薄膜结构。此外,光辅助 ALD 设备在低温下也能高效工作,对基底材料的兼容性较好,且能减少因高温或等离子体作用可能带来的基底损伤。然而,光辅助 ALD 设备对光学系统要求较高,设备成本相对较高,且光的传输和吸收在复杂反应腔室环境中存在一定挑战,需要精细的光学设计和优化。
在应用领域,光辅助 ALD 设备在纳米光子学领域具有重要应用,可用于制备高性能的光学薄膜,如用于光波导、微纳光学器件的低损耗介质薄膜和高反射率金属薄膜。在量子计算领域,光辅助 ALD 设备用于制备量子比特所需的高质量薄膜,保障量子比特的稳定性与相干性,为量子计算机的发展提供关键技术支撑。在柔性电子领域,光辅助 ALD 设备可在柔性衬底上实现高精度的薄膜图案化沉积,助力柔性显示、可穿戴电子设备等产品性能提升,推动柔性电子产业向轻薄化、高性能方向发展。
二、按设备结构与产能分类的差异
2.1 单腔室 ALD 设备
单腔室 ALD 设备结构相对简单,仅有一个反应腔室用于进行薄膜沉积。在每个沉积循环中,前驱体气体、惰性气体依次通入该腔室完成反应。这种设备的优点是成本较低,设备占地面积小,易于维护和操作,且在小批量、研发性质的薄膜制备任务中具有较高的灵活性。由于只有一个腔室,能够方便地对工艺参数进行调整和优化,适用于对新薄膜材料、新工艺的探索性研究。例如,科研机构在研发新型二维材料薄膜时,可利用单腔室 ALD 设备,通过不断尝试不同的前驱体组合和工艺条件,快速获取实验数据,优化薄膜制备工艺。
然而,单腔室 ALD 设备的产能较低,每次只能处理一片或少量几片基底,不适合大规模工业化生产。在工业生产中,尤其是对产量需求巨大的半导体芯片制造、光伏电池生产等行业,单腔室 ALD 设备的生产效率无法满足要求。因此,单腔室 ALD 设备主要应用于高校、科研院所的实验室研究,以及一些对产量要求不高、对薄膜质量和工艺灵活性要求较高的小众高端制造领域,如制备用于高端光学仪器的特殊薄膜、生物医疗领域的定制化植入器械表面薄膜等。
2.2 多腔室 ALD 设备
多腔室 ALD 设备由多个反应腔室组成,通常具备自动化的基底传输系统。不同的反应腔室可以同时进行不同阶段的沉积反应,或者针对同一批基底进行连续的多步沉积工艺。例如,在半导体芯片制造中,可能需要在芯片表面依次沉积多种不同材料的薄膜,多腔室 ALD 设备可以在不同腔室分别完成高 k 介质层、金属栅极层等的沉积,通过自动化传输系统将芯片在各腔室间高效转移,大大提高了生产效率。
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性能上,多腔室 ALD 设备显著提升了产能,相比单腔室设备,其每小时能够处理更多数量的基底,满足大规模工业化生产的需求。同时,由于各腔室分工明确,能够更好地控制每个沉积步骤的工艺参数,进一步提高薄膜质量的一致性和稳定性。不过,多腔室 ALD 设备结构复杂,成本较高,设备的安装、调试和维护需要专业的技术团队,对操作人员的要求也更高。
在应用领域,多腔室 ALD 设备广泛应用于半导体制造产业,满足大规模芯片生产对薄膜沉积的高精度、高产能需求。在光伏产业中,随着光伏电池产能的不断扩张,多腔室 ALD 设备也逐渐成为主流,用于高效光伏电池的大规模生产,如在 TOPCon 电池的量产中,多腔室 ALD 设备可快速、精确地在大量电池片表面沉积隧穿层、钝化层等关键薄膜。此外,在一些对产品一致性要求极高的高端制造业,如汽车传感器制造、高端医疗器械制造等领域,多腔室 ALD 设备也发挥着重要作用,用于生产高质量、性能一致的产品。
2.3 批量式 ALD 设备
批量式 ALD 设备专门为大规模批量生产设计,能够同时处理大量的基底。它通常采用独特的反应腔室设计,如旋转圆盘式、连续式输送带等结构,使大量基底能够在同一时间内接受薄膜沉积处理。以旋转圆盘式批量 ALD 设备为例,多个基底被放置在可旋转的圆盘上,圆盘在反应腔室内旋转,依次经过前驱体气体通入区、惰性气体吹扫区等不同功能区域,实现薄膜的逐层沉积。
批量式 ALD 设备在产能方面具有绝对优势,能够在短时间内完成大量基底的薄膜沉积,极大地提高了生产效率,降低了单位产品的生产成本。例如,在光伏产业中,微导纳米推出的 “夸父” 批量式 ALD 系统,产能较上一代产品提升 10%,在维持卓越设备性能的同时,有效满足了光伏电池片大规模生产的需求。在性能方面,通过优化反应腔室的气体流场分布、温度均匀性控制等技术手段,批量式 ALD 设备能够保证在处理大量基底时,薄膜的厚度均匀性和质量一致性与单腔室或多腔室设备相当。然而,批量式 ALD 设备的初始投资成本极高,且设备的工艺调整相对复杂,一旦确定生产工艺,后期更改工艺参数可能需要较长时间的调试和验证。
其应用领域主要集中在对产品需求量巨大、对成本控制较为严格的行业,如光伏产业是批量式 ALD 设备的重要应用领域,大规模的光伏电池片生产需要高效、低成本的薄膜沉积设备,批量式 ALD 设备正好满足这一需求。在 LED 照明产业中,批量式 ALD 设备用于在大量 LED 芯片表面沉积保护膜、荧光粉层等,提高 LED 的发光效率和稳定性,实现大规模生产。此外,在一些新兴的大规模制造业,如锂离子电池电极材料的表面镀膜、大规模生产的微机电系统(MEMS)器件的薄膜制备等领域,批量式 ALD 设备也开始得到广泛应用。
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