2024 年全球半导体市场规模达到 6351 亿美元，同比增长 19.8%，2025 年预计将进一步增至 7189 亿美元，增速 13.2%。美国凭借 AI 芯片和数据中心的爆发式需求，自 2007 年以来首次超越中国成为最大单一半导体市场，规模达 1961 亿美元，增长 44.8%。英伟达以 1156 亿美元销售额登顶，年增 89%，其 H100 和 B100 系列芯片搭载 HBM3e 和 NVLink 技术，成为生成式 AI 的核心平台。存储领域，SK 海力士和三星受益于 HBM 需求，销售额分别增长 70% 和 60%；中国长鑫存储以 214% 的增幅首次进入全球前 50，DDR4/DDR5 产品在本土市场市占率快速提升。

市场集中度持续加剧，前十大厂商占据全球销售额的三分之二，前 50 强控制 92% 的市场。AI 芯片、高带宽存储、先进封装和功率管理成为核心增长点。AI 服务器需求推动 GPU、FPGA 和 ASIC 市场增长，Monolithic Power Systems 的高集成 DC-DC 模块出货激增，排名上升至第 37 位。先进封装市场景气复苏，台积电加速 CoWoS 产能扩充，计划将光罩尺寸提升至 5.5 倍，基板面积突破 100×100mm；长电科技、通富超威等中国企业在车规级封测领域快速布局，2025 年产能将显著提升。

中国半导体企业在政策支持下加速技术突破。长鑫存储的 DRAM 技术平台逐步成熟，兆易创新的 Nor Flash 和 MCU 产品在工业与车规市场持续拓展，寒武纪的 MLU 系列 AI 芯片采用 Chiplet 架构，适配国内数据中心替代需求。尽管面临 EDA 工具、高端制造和客户结构的挑战，中国企业在成熟制程和利基市场展现出强大生命力，华邦电子、力晶等台湾企业在 SRAM 和特种 DRAM 领域保持竞争力。2025 年国产 AI 芯片国内市占率有望升至 40%，与外购芯片平分秋色。

厦门毅睿科技自助研发的微波等离子体辅助原子层沉积系统是一种用于高质量薄膜材料制备的先进设备。本系统的突出特点在于高效的等离子体激发能力和出色的工艺控制水平，特别适合于高纯度、低缺陷密度和低温沉积薄膜的制备。微波等离子体相较于传统射频等离子体拥有更高的激发效率和均匀性，有助于在较低基底温度下实现高质量薄膜的快速生长，降低热应力对材料结构的影响，拓展了对热敏感基底的应用范围。此外，该设备支持多种材料体系的沉积，能够满足多样化的科研和工业需求。整体而言，微波ALD系统以其高效、精准、低温及多功能的优势，为高性能薄膜材料的研发和产业化提供了有力保障。

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区域竞争方面，欧盟通过《芯片法案》计划投入 430 亿欧元，目标 2030 年占全球市场 20%，英飞凌德累斯顿晶圆厂获批 9.2 亿欧元补贴，推动车用 MCU 自主供给率提升至 58%。日本和韩国则在先进封装和存储技术上持续发力，台积电、三星的 2nm 工艺量产将进一步巩固其技术优势。全球半导体市场正呈现 “一超多强” 的格局，技术驱动与地缘政治共振，中国企业在成本、替代与自主创新三条路径上渐次突破，未来十年或将重塑全球产业版图。

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