半导体设备与材料领域:前景光明,挑战犹存

来源:厦门毅睿科技官网-真空镀膜设备汇总

在半导体产业链中,设备与材料领域犹如基石,支撑着整个产业大厦的构建,其发展前景既充满机遇,也面临诸多挑战。

从积极的一面来看,市场需求的持续增长为半导体设备与材料领域注入了强劲动力。随着人工智能、物联网、5G 通信以及新能源汽车等新兴产业的蓬勃发展,对半导体芯片的需求呈井喷式增长,这直接带动了上游设备与材料市场的繁荣。在人工智能领域,强大的算力需求促使芯片制造商不断追求更高性能的芯片,从而对先进的半导体制造设备,如极紫外光刻机(EUV)、高精度刻蚀机等,以及高质量的材料,如大尺寸、高纯度的硅片,提出了更为迫切的需求。据相关数据预测,到 2030 年,全球半导体产业的最终销售额有望达到约 1 万亿美元,与算力相关的服务器、数据中心、存储和汽车电子等领域将成为增长最快的板块,预计年增长率达 9%,这无疑为设备与材料领域开辟了广阔的市场空间。

国产化替代进程的加速,也是该领域发展的一大利好。由于国际形势复杂多变,尤其是部分西方国家对我国半导体产业实施技术封锁和出口限制,使得国内半导体企业深刻认识到实现自主可控的紧迫性。国内芯片制造商纷纷加大对国产设备与材料的采购力度,以减少对进口产品的依赖。以长江存储为例,2024 年其设备的国产化率已达到 65%,材料的国产化率达到了 85%。这一趋势不仅为国内半导体设备与材料企业提供了难得的发展机遇,促使它们不断加大研发投入,提升产品质量和性能,逐步缩小与国际先进水平的差距,还推动了整个产业生态的完善和自主创新能力的提升。

厦门毅睿科技-微波等离子体辅助原子层沉积系统(MPALD)

微波等离子体辅助原子层沉积系统(MPALD),可实现<±3%的均匀沉积,微波频率:2.45±0.025 GHz,微波功率:≥3KW连续可调。通过自主研发攻克了“卡脖子”难题不仅,降低了对进口设备的依赖,更通过自主可控的技术体系为半导体产业链安全提供保障。


政策支持为半导体设备与材料领域的发展提供了坚实保障。国家高度重视半导体产业的发展,出台了一系列扶持政策。2024 年 5 月,国家集成电路产业投资基金第三期启动,政府投资额高达 3440 亿元人民币,重点关注加强光刻机供应链等关键领域,预计将吸引 1.38 万亿元人民币的民间投资。从北京到上海再到深圳,地方政府也纷纷出台政策,支持国内极紫外光刻(EUV)关键部件供应商的发展,涵盖光刻胶、光刻工具、反射镜、透镜、激光器和光源等多个方面。这些政策的出台,为企业提供了资金支持、税收优惠和人才保障,极大地激发了企业的创新活力和发展动力。

技术创新同样为该领域的发展带来了新的机遇。在半导体设备方面,国内企业不断取得突破。北方华创的刻蚀机、薄膜沉积设备等产品性能已达到国际先进水平,在国内晶圆厂得到广泛应用,打破了国外企业的长期垄断。中微公司的刻蚀机在先进制程领域进展显著,其研发的 5nm 刻蚀机已通过台积电的验证并进入量产阶段。在半导体材料领域,以氧化镓、金刚石等为代表的新一代半导体材料崭露头角。氧化镓具有超宽禁带宽度、高击穿场强等优异特性,在功率器件领域展现出巨大潜力,市场对于氧化镓的需求日益旺盛,日本企业 Novell Crystal Technology 预测,到 2030 年氧化镓晶圆市场将扩大到约 590 亿日元规模。国内企业如富加镓业在氧化镓材料研发方面取得重要突破,已打造国内首条 6 英寸氧化镓单晶及外延片生长线。

然而,半导体设备与材料领域在发展过程中也面临着诸多挑战。高端设备和材料的研发难度极大,需要大量的资金、技术和人才投入,且研发周期漫长。以光刻机为例,其制造涉及到光学、机械、电子、化学等多个学科领域的顶尖技术,是全球最复杂的设备之一。荷兰 ASML 公司在高端光刻机市场占据主导地位,其极紫外光刻机(EUV)能够实现 3nm 及以下制程的芯片制造,而我国在光刻机研发方面虽有进展,但与 ASML 的顶尖产品相比仍存在较大差距。

国际上对半导体设备和材料的出口管制不断升级,给国内企业的发展带来了诸多不确定性。美国等西方国家通过出台一系列政策,限制高端半导体设备和关键材料的出口,试图阻碍我国半导体产业的发展。这使得国内企业在获取先进技术和产品时面临重重困难,不仅增加了企业的采购成本和供应链风险,还可能影响企业的正常生产和研发进度。

国内设备和材料企业在产品的稳定性和一致性方面,与国际巨头相比仍有一定差距。半导体制造对设备和材料的质量要求近乎苛刻,产品的微小差异都可能对芯片的性能和良率产生重大影响。因此,国内企业需要进一步加大在生产工艺优化、质量控制体系建设等方面的投入,不断提升产品质量和服务水平,以满足半导体制造企业日益严格的需求。

半导体设备与材料领域前景光明但挑战重重。国内企业需抓住市场需求增长、国产化替代和政策支持的机遇,加大技术创新力度,提升产品质量和竞争力,逐步攻克高端设备和材料的技术难题,突破国际出口管制的限制,实现该领域的高质量、可持续发展,为我国半导体产业的崛起奠定坚实基础 。

#行业发展 #厦门毅睿科技 #半导体 #薄膜沉积 #原子层沉积 #ald #芯片制程 #芯片 #半导体产业 #pecvd #pvd 


返回上一级
推荐阅读
原子层沉积技术(ALD):原理、应用与未来发展
图片来源:厦门毅睿科技有限公司原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于自限制表面反应的薄膜制备技术,通过交替脉冲前驱体气体,在基底表面逐层生长原子级精度的薄膜。其核心原理在于利用前驱体与基底表面的化学吸附饱和特性,实现单原子层的可控沉积。每个反应循环包含四个步骤:前驱体A脉冲、惰性气体
半导体如何改变世界?从手机到医疗,揭秘其7大核心应用领域
图片来源:厦门毅睿科技有限公司官网一、半导体的应用无处不在1.计算与通信: CPU/GPU(电脑/手机处理器)、内存、存储芯片、通信芯片(WiFi/蓝牙/5G)。2.消费电子: 手机、平板、电视、游戏机、数码相机、智能手表。3.工业与汽车: 工业自动化控制器、汽车引擎控制、安全气囊、ABS、自动驾驶传感器(雷达、激光雷达
下一代锂电池研发中国方案出炉,优势在哪里?
中国在下一代锂电池研发中提出的富锂锰基正极材料方案,凭借多项技术突破和创新设计,展现出显著的竞争优势,具体体现在以下几个方面:一、颠覆性材料特性解决行业痛点负热膨胀与结构自修复能力中国科学院宁波材料所团队首次发现富锂锰基材料在受热时呈现反常收缩(负热膨胀)的特性中国科学院。这种特性可通过温度或电化学
微波等离子体辅助原子层沉积(MPALD)的核心优势有哪些?
图片来源:厦门毅睿科技有限公司1.核心概念:原子层沉积:首先,需要理解原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)是什么。ALD 是一种精密的薄膜沉积技术,其核心在于通过交替、自限制的表面化学反应,在基底上逐层生长薄膜。每个反应循环通常包含两个(或多个)半反应步骤:前驱体A脉冲:第一种前驱体
薄膜沉积,这门在微观尺度上“添砖加瓦”的精妙艺术
来源:厦门毅睿科技有限公司在现代科技的核心领域,从微小的芯片到巨大的太阳能电池板,从手机屏幕到航天器的防护层,一种看似不起眼却至关重要的技术支撑着无数创新——这就是薄膜沉积技术。它如同微观世界的精密“画笔”,在各类基底表面“绘制”出厚度从纳米到微米级的超薄材料层,赋予基体全新的光学、电学、机械或化学
ALD赋能未来产业
当台积电在其最新的2纳米制程中精准控制原子级薄膜厚度时,当特斯拉4680电池通过纳米涂层显著提升能量密度时,当柔性折叠屏手机呈现前所未有的耐用性时——在这些尖端技术的幕后,原子层沉积(ALD)技术正悄然发挥着不可替代的作用。作为一种可精确控制薄膜厚度与成分的表面工程技术,ALD通过交替通入前驱体气体,在基底表面
软包电池品质与效率的双重飞跃
在能源转型的关键时代,动力电池技术的革新已成为全球竞争的核心赛道。当我们打开智能手机、启动新能源汽车,甚至使用便携式储能设备时,软包电池凭借其轻薄柔韧的形态,悄然成为现代能源解决方案的关键载体。随着材料科学、结构设计和制造工艺的不断突破,新一代软包电池技术正以前所未有的速度重塑能源存储的未来图景。&n
我国清华大学研制的忆阻器存算一体芯片突破“内存墙”瓶颈
2023年10月,清华大学宣布研制出全球首颗全系统集成的忆阻器存算一体芯片,这确实是一个具有里程碑意义的重大突破,对未来科技发展和产业格局将产生深远影响。其核心意义在于验证并推进了“存算一体”这一颠覆传统计算架构的新范式。第一章:以下是其可能带来的主要影响:一 、突破“内存墙”瓶颈,实现计算能效的指数级提升
锂电池技术将朝着多元化方向发展是必然趋势
未来锂电池技术将朝着多元化方向发展。在材料体系方面,富锂锰基正极、锂金属负极和固态电解质等技术有望实现突破。在电池设计方面,结构创新(如CTP、刀片电池)和系统集成将进一步提升能量密度和安全性。智能化也是重要趋势,通过植入传感器和AI算法实现电池状态的实时监测和预测性维护。此外,钠离子电池、锂硫电池等替代技
真空镀膜,创造更好的生活体验
真空镀膜技术作为现代制造业中的一项关键工艺,已广泛应用于多个工业领域。这种技术通过在真空环境下将材料以原子或分子形式沉积到基材表面,形成具有特定功能的薄膜层。随着科技的进步和工业需求的多样化,真空镀膜设备的功能不断完善,应用范围持续扩大,成为推动多个行业技术革新的重要工具。电子与半导体行业在电子与半

微信客服

全国服务热线

13774692374