物理气相沉积（PVD）设备使用方法

使用前需检查真空系统完整性，确认机械泵、分子泵工作正常，腔体密封良好。打开主控界面，设定沉积参数：靶材类型（如铝、铜）、溅射功率（通常 100-500W）、真空度（10⁻⁴~10⁻⁶Pa）、沉积时间。

将基片用专用夹具固定在样品台上，确保表面洁净无杂质。关闭腔门，启动抽真空程序，待达到预设真空度后，通入惰性气体（如氩气）作为工作气体，流量控制在 10-50sccm。

启动溅射程序，观察辉光放电状态是否稳定。沉积过程中实时监测膜厚仪数据，确保薄膜厚度均匀。完成后关闭溅射电源，停止通气，待腔体回压至大气压后取出样品，记录沉积参数与膜层特性。

化学气相沉积（CVD）设备使用方法

开机前检查气源管路密封性，确认反应气体（如硅烷、氨气）纯度达标，废气处理系统正常运行。通过控制软件设置反应温度（300-1200℃）、压力（常压至 10⁵Pa）、气体流量比例。

将清洗后的基片放入反应室托盘，确保受热均匀。关闭反应室，启动抽真空流程，同时升温至设定温度。达到工艺条件后，按比例通入反应气体与载气（如氮气），开启旋转台（转速 5-30rpm）保证膜厚均匀。

沉积期间监测反应室压力与尾气成分，防止气体泄漏。完成后先切断反应气体，继续通载气直至温度降至 200℃以下，再停止抽真空。取出样品后清洁反应室，避免残留反应物污染下次沉积。

原子层沉积（ALD）设备使用方法

预处理阶段需对基片进行等离子体清洁，去除表面吸附的水汽与有机物。检查前驱体源温控制是否精准（如三甲基铝源温 20-40℃），真空系统极限压力需达 10⁻⁷Pa 级别。

在操作界面输入循环参数：前驱体脉冲时间（1-10s）、 purge 时间（5-20s）、循环次数（决定膜厚）。将基片固定在加热台上，设定沉积温度（100-300℃）。

启动沉积程序后，设备会自动交替通入前驱体与惰性气体 purge，通过表面饱和反应实现单原子层可控生长。过程中需监测石英晶体微天平（QCM）的频率变化，确认每个循环的膜厚增长稳定。全部循环完成后，自然冷却至室温再取出样品，记录每层生长速率与均匀性数据。

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