应用于真空镀膜的先进芯片制备技术

在芯片制备行业,真空镀膜技术作为构建芯片微观结构的关键手段,其技术的先进性直接关乎芯片的性能与集成度。随着芯片制程向更小尺寸迈进,对真空镀膜的精度、薄膜质量以及工艺适应性提出了极高要求,催生出一系列先进的真空镀膜技术。

原子层沉积(ALD)技术

原子层沉积技术基于独特的自限制化学反应机制,实现原子级别的薄膜生长控制。在 ALD 过程中,气相前驱体以脉冲形式交替通入反应室,在基底表面进行化学吸附并反应,每次反应仅沉积一层原子。这种自限制特性使得 ALD 能够在复杂的三维结构表面,如高深宽比的沟槽、通孔内部,实现高度均匀且保形性极佳的薄膜沉积 。例如在高 k 栅极介质层的制备中,ALD 可精确控制薄膜厚度在几纳米范围内,且保证成分均匀性,极大提升了栅极的绝缘性能与稳定性,满足先进制程对纳米级结构精确制造的严苛需求 。微导纳米创新研发的原子层沉积量产设备,已成功应用于欧洲新型车载芯片的生产,展现出 ALD 技术在芯片制造中的强大优势与应用潜力 。

来源:厦门毅睿科技有限公司官网

厦门毅睿自主研发生产的微波等离子体辅助原子层沉积系统是一种用于高质量薄膜材料制备的先进设备。该系统利用微波能量激发等离子体,通过周期性交替引入前驱体和反应气体,在基底表面实现原子级别的薄膜沉积。设备能够精准控制工艺过程中的温度、压力、气体流量和等离子体功率等主要参数,确保所制备薄膜在厚度、成分和物理化学性能等方面具备优异一致性。微波等离子体具有高密度、低电子温度和高反应活性的特点,可有效促进前驱体分解和薄膜的致密生长,从而显著提升沉积速率和材料质量。该系统广泛适用于半导体、光电子、储能及传感器等领域,可用于高k介质、氧化物、氮化物及金属等多种薄膜材料的原子层沉积。

本系统的突出特点在于高效的等离子体激发能力和出色的工艺控制水平,特别适合于高纯度、低缺陷密度和低温沉积薄膜的制备。微波等离子体相较于传统射频等离子体拥有更高的激发效率和均匀性,有助于在较低基底温度下实现高质量薄膜的快速生长,降低热应力对材料结构的影响,拓展了对热敏感基底的应用范围。此外,该设备支持多种材料体系的沉积,能够满足多样化的科研和工业需求。整体而言,微波ALD系统以其高效、精准、低温及多功能的优势,为高性能薄膜材料的研发和产业化提供了有力保障。

物理气相沉积(PVD)技术的新进展

磁控溅射技术

磁控溅射是 PVD 技术中的重要分支,通过在靶材表面施加磁场,约束电子运动路径,增加电子与工作气体原子的碰撞概率,从而显著提高溅射效率。在芯片制造中,磁控溅射常用于金属电极、互连层以及阻挡层的沉积。例如,在制备铜互连层时,利用磁控溅射可获得高纯度、低电阻且附着力良好的铜薄膜,有效降低信号传输延迟,提升芯片的电气性能 。相较于传统溅射方式,磁控溅射能够在较低的工作气压下进行,减少了薄膜中的杂质掺入,提高了薄膜质量 。

磁控溅射设备(来源:厦门毅睿科技)

离子束溅射技术

离子束溅射利用高能量离子束直接轰击靶材,使靶材原子溅射出来并沉积在基底上。该技术的优势在于离子能量和束流密度可精确控制,能够实现对薄膜沉积速率、厚度和成分的精准调节。在制备一些对薄膜质量要求极高的光学芯片或传感器芯片时,离子束溅射可沉积出原子排列有序、表面平整度高的薄膜,满足芯片对光学性能或传感精度的严格要求 。此外,离子束溅射还可通过调整离子入射角度,实现对薄膜微观结构和应力状态的调控 。

离子束溅射(来源:厦门毅睿科技)

化学气相沉积(CVD)技术的革新

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

PECVD 技术通过引入等离子体,显著降低了化学反应所需的温度,拓宽了可沉积材料的范围,并提高了薄膜沉积速率。在等离子体环境中,反应气体分子被激发、电离,活性大大增强,使得一些在传统热 CVD 条件下难以发生的反应能够顺利进行 。在芯片制造中,PECVD 常用于沉积氮化硅、二氧化硅等绝缘薄膜,以及多晶硅等半导体材料。例如,在芯片的钝化层制备过程中,PECVD 沉积的氮化硅薄膜具有良好的化学稳定性和机械性能,能够有效保护芯片免受外界环境的侵蚀 。

电浆辅助化学气相沉积系统(PECVD) (来源:厦门毅睿科技)

金属有机化学气相沉积(MOCVD)

MOCVD 采用金属有机化合物作为前驱体,通过热分解或化学反应在基底上沉积金属、半导体或化合物薄膜。该技术在生长高质量的化合物半导体薄膜方面表现卓越,如氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等,这些化合物半导体在 5G 通信芯片、光电子芯片等领域具有广泛应用 。MOCVD 能够精确控制薄膜的成分、厚度和掺杂浓度,生长出具有特定晶体结构和电学性能的外延层,为高性能芯片的制备提供了关键技术支撑 。例如,在制造高功率、高频率的 5G 射频芯片时,MOCVD 生长的 GaN 外延层可显著提升芯片的电子迁移速度和击穿电压,增强芯片的性能 。

这些先进的真空镀膜技术正不断推动芯片制备行业向前发展,助力芯片在更小尺寸、更高性能的道路上持续突破。随着技术的进一步创新与完善,它们将在未来的芯片制造中发挥更为关键的作用 。

来源:厦门毅睿科技有限公司官网

#原子层沉积 #半导体 #芯片 #真空镀膜 #镀膜 #ald #pvd #薄膜沉积 #半导体产业

#厦门毅睿科技#


返回上一级
推荐阅读
四强联手研发固态电池:2030 年实现 800 公里续航目标
据外媒报道,日前,日本主要汽车制造商丰田、日产、本田以及松下公司联手展开了一个新的研发项目--固态电池。锂离子电池技术与评估中心财团( 简称 Libtec )从日本经济产业省那里获得了 1400 万美元的资金支持。固态电池技术现在越来越被认为是电动汽车发展的下一个重大研发方向。这种电池采用的是固体电解质,这能比现在的
绝不自燃?比亚迪全固态电池来了
比亚迪耗时六年研发的全固态电池,终于要落地了。日前,我们从比亚迪内部获悉,比亚迪全固态锂电池在重庆生产即将装车试验,该项目由中国科学院院士、清华大学教授欧阳明高牵头,另有三位院士顾问一同参与研发工作,属于标准的国家级重点项目。据了解,该固态电池在使用硅基材料作为固态电池负极时,能量密度预计能达到400W
固态电池牛皮吹破了?被指技术卡壳:要到2030年量产
新能源汽车产业大火,也带动了动力电池产业极速向前。除了产量和装车量屡创新高外,动力电池的技术发展也引人注目。就目前来看,固态电池是接下来的一大趋势,不过消费者关心的只有一个问题,那就是这玩意到底啥时候量产和上车?据智车派了解,最新的研报显示,目前固态电池的生产等环节仍然有挑战,因此大批量产可能要等到
日本固态电池技术最新突破,日本固态电池研发成功了吗
此前,日本固态电池技术迎来最新突破,日产汽车对外宣布全固态电池研发成功,未来日产纯电动汽车的续航里程将突破1000公里,充电速度提升3倍,安全性大幅提升,且电池成本减少一半。此消息一出迅速引起网友们的激烈讨论,要知道日本当年在新能源汽车领域中,曾孤注一掷地选择了氢能源汽车路线,由于早早构建起专利壁垒,所以
小米下场!最新固态电池技术曝光,1200km纯电续航太凶残!
电车通从企查查官网得知,小米汽车申请的「固态电池复合电极与制备方法及包含其复合电极的固态电池」专利正式公布。一家新能源车企研发固态电池并不是什么新鲜事,只是这事放在小米汽车身上就不一样了:小米汽车有小米 SU7,但目前在汽车行业还不算站稳脚跟,需要更多可以盈利的项目,不算成熟的固态电池项目必会增加小米的
燃油车末日倒计时!2026固态电池量产,续航2000公里碾压油车
燃油车的丧钟真被敲响了?2026年越来越近,车企们关于固态电池的豪言壮语满天飞:丰田说“充电10分钟跑1200公里”,奇瑞宣称“能量密度600Wh/kg,充电5分钟续航400公里”,太蓝新能源甚至搞出720Wh/kg的实验室数据——按这节奏,续航2000公里不是梦。但真相可能泼你一盆冷水。别看车企吹得天花乱坠,全固态电池的“量产”和
奔驰测试固态电池,续航里程近1,000公里
据外媒报道,奔驰目前正在道路上测试搭载全固态电池的电动汽车,这项技术有望让电动汽车实现600英里(约960公里)以上的续航里程。报道称,奔驰已经开始在路上测试搭载固态电池的电动汽车,该公司目前正在英国进行测试,测试车辆是一辆配备固态电池的EQS原型车。奔驰预计新电池可将车辆的续航里程提升约25%。目前,EQS
日本固态电池研发成功:中国车企要有危机感
日产欧洲研发高级副总裁David Moss表示,日产已经成功开发出全固态电池,目标是2025年开始试生产,2028年生产一款由固态电池驱动的全新电动汽车。早前德国宝马集团也宣布,宝马将打造全固态电池中试生产线,2025年推出首辆原型车。国内固态电池板块也在爆发,不少企业也下场开始了固态电池的研发进程,国内已经有部分车企推
日本固态电池弯道超车的可能性存在:中国车企要有危机感
从目前来看,日本固态电池研发成功,并且降低了电池成本的消息,我们一定不能掉以轻心,低估日本在新能源汽车领域研发能力。因为在过去看来,固态电池的研发为何迟迟推进不下去,一大原因在于固态电池的成本非常高,全固态电池的成本是液态电池的四倍,这是它的核心难题。如果把固态电池的成本打下来,固态电池的普及难度就
丰田汽车:固态电池新技术可使成本和重量均减半
丰田公司宣布在固态电池技术上取得了重大突破,能够显著减半电池的重量、体积和成本,这将极大地推动电动汽车的发展。丰田还表示已经简化了固态电池材料的生产过程,能够大幅缩短充电时间并提高续航里程。丰田公司碳中和研发中心的总裁海田敬二表示,丰田已经研发出了提高电池耐久性的方法,并相信可以制造出续航里程为1200

微信客服

全国服务热线

13774692374