半导体薄膜沉积设备市场规模及增长趋势分析

在半导体制造产业的庞大生态中,薄膜沉积设备占据着极为关键的地位,堪称芯片制造工艺的核心支撑。其不仅与光刻机、刻蚀设备共同构筑起集成电路前道生产工艺的三大支柱,更是凭借对芯片微观结构的精准塑造,深度影响着芯片的性能、功耗以及集成度等关键指标。随着半导体行业持续向更高性能、更小尺寸的方向迅猛迈进,薄膜沉积设备市场正经历着规模的扩张与格局的重塑。

当下市场规模剖析

从全球视角审视,半导体薄膜沉积设备市场已具备相当可观的体量。依据国际半导体产业协会(SEMI)数据,2023 年全球半导体设备销售额飙升至 1063 亿美元,其中晶圆制造设备销售额约占总体的 90%,达 960 亿美元左右。而薄膜沉积设备作为晶圆制造环节的关键设备,其市场规模约占晶圆制造设备市场的 22%,由此推算,2023 年全球薄膜沉积设备市场规模约为 211 亿美元 。到了 2024 年,中国大陆薄膜沉积设备市场推算约为 97 亿美元 。在市场份额分布上,行业呈现高度集中态势,少数国际巨头诸如应用材料(AMAT)、泛林半导体(Lam)和东京电子(TEL)等牢牢把控着主要市场。以 CVD 市场为例,这三大厂商合计占据了全球约 70% 的市场份额 。

2023年半导体设备国产率情况

国内市场同样不容小觑。中国作为全球最大的消费电子市场,对半导体芯片需求极为旺盛,为半导体设备,包括薄膜沉积设备带来了广阔市场空间。2023 年国内半导体设备销售额达 366 亿美元,同比增长 29%,连续四年成为全球最大半导体设备市场 。结合国内半导体制造设备销售额占全球约 26% 的比例测算,2022 年国内半导体薄膜沉积设备市场规模约为 60.5 亿美元 。国内企业如微导纳米、拓荆科技等正加速崛起,逐步抢占市场份额。如拓荆科技在 2024 年中国大陆其覆盖的产品市场规模约 48.5 亿美元的情况下,对应产品收入达 41 亿元,市场份额占比约 12% 。

如厦门毅睿科技自主研发的国内首台套大尺寸微波等离子体原子层沉积系统已交付厦门某高校,实现了大尺寸晶圆条件下薄膜厚度和界面质量的精准可控,能够有效降低器件制造过程中界面缺陷及颗粒污染等问题。在高k栅介质、逻辑芯片超薄阻挡层等前沿工艺研究中获得良好应用反馈。

国内首台套大尺寸微波等离子体原子层沉积系统(来源:厦门毅睿科技有限公司官网)

增长趋势洞察

技术革新驱动增长

半导体技术朝着更小制程、更高集成度发展,持续为薄膜沉积设备市场注入增长动力。随着芯片制造工艺迈向 3nm、2nm 甚至更小节点,对薄膜沉积的精度、均匀性以及薄膜质量提出了近乎苛刻的要求。例如,在先进制程中,GAA 晶体管技术的普及需要超 20 层薄膜堆叠,这使得薄膜沉积设备需求大增。据预测,全球薄膜沉积设备市场规模将从 2022 年的 195 亿美元,增长至 2027 年的 290 亿美元,年复合增长率(CAGR)达 8.3% 。其中,原子层沉积(ALD)技术由于能够实现原子级别的薄膜生长控制,在先进制程中的应用愈发广泛,其设备占比将从 2022 年的 25% 升至 2027 年的 35% 。微导纳米研发的 ALD 量产设备已成功应用于欧洲新型车载芯片生产,彰显了 ALD 技术在先进制程中的关键作用 。

新兴应用领域拓展市场

除了传统的集成电路领域,新兴应用领域如 5G 通信、人工智能、物联网、汽车电子等的蓬勃发展,极大地拓展了半导体薄膜沉积设备的市场边界。在 5G 通信领域,氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带半导体材料凭借其优异的高频、高功率特性,成为制造 5G 射频芯片、功率器件的理想选择。金属有机化学气相沉积(MOCVD)等设备用于生长高质量的化合物半导体外延层,对提升 5G 通信设备性能至关重要,进而带动了相关薄膜沉积设备的市场需求 。在汽车电子领域,随着电动汽车的普及,对功率半导体的需求呈爆发式增长,薄膜沉积设备在功率半导体制造中不可或缺,推动市场规模进一步扩大。

国产替代进程加速增长

在复杂的国际形势下,半导体产业自主可控的重要性愈发凸显,国产替代成为国内半导体薄膜沉积设备市场增长的强劲引擎。目前,我国在高端半导体设备领域自给率较低,高端薄膜沉积设备基本依赖进口。但近年来,国内企业加大研发投入,不断取得技术突破。如拓荆科技已形成 PECVD、ALD 等多种设备产品系列,核心技术及关键性能指标达到国际同类设备先进水平,产品在客户端广泛应用 。微导纳米半导体设备业务增长迅猛,2024 年上半年收入同比增长 812.94% 。随着国内企业技术的不断成熟,产品逐步实现进口替代,国内半导体薄膜沉积设备市场规模有望迎来爆发式增长。预计到 2029 年,全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达 559 亿美元,国内市场规模按比例推算将达 145.3 亿美元 。

半导体薄膜沉积设备市场正处于规模扩张与技术革新的关键时期。在技术进步、新兴应用领域拓展以及国产替代等多重因素的交织推动下,市场前景十分广阔。无论是国际巨头还是国内新兴企业,都将在这一充满机遇与挑战的市场中,凭借持续的技术创新与市场拓展,争夺更为有利的市场地位,共同推动半导体薄膜沉积设备市场迈向新的发展高度。

#原子层沉积 #半导体 #半导体产业#芯片 #真空镀膜 #镀膜 #ald #pvd #薄膜沉积 #厦门毅睿科技# #化学气相沉积 #物理气相沉积


返回上一级
推荐阅读
原子层沉积技术(ALD):原理、应用与未来发展
图片来源:厦门毅睿科技有限公司原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition, ALD)是一种基于自限制表面反应的薄膜制备技术,通过交替脉冲前驱体气体,在基底表面逐层生长原子级精度的薄膜。其核心原理在于利用前驱体与基底表面的化学吸附饱和特性,实现单原子层的可控沉积。每个反应循环包含四个步骤:前驱体A脉冲、惰性气体
半导体如何改变世界?从手机到医疗,揭秘其7大核心应用领域
图片来源:厦门毅睿科技有限公司官网一、半导体的应用无处不在1.计算与通信: CPU/GPU(电脑/手机处理器)、内存、存储芯片、通信芯片(WiFi/蓝牙/5G)。2.消费电子: 手机、平板、电视、游戏机、数码相机、智能手表。3.工业与汽车: 工业自动化控制器、汽车引擎控制、安全气囊、ABS、自动驾驶传感器(雷达、激光雷达
下一代锂电池研发中国方案出炉,优势在哪里?
中国在下一代锂电池研发中提出的富锂锰基正极材料方案,凭借多项技术突破和创新设计,展现出显著的竞争优势,具体体现在以下几个方面:一、颠覆性材料特性解决行业痛点负热膨胀与结构自修复能力中国科学院宁波材料所团队首次发现富锂锰基材料在受热时呈现反常收缩(负热膨胀)的特性中国科学院。这种特性可通过温度或电化学
微波等离子体辅助原子层沉积(MPALD)的核心优势有哪些?
图片来源:厦门毅睿科技有限公司1.核心概念:原子层沉积:首先,需要理解原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)是什么。ALD 是一种精密的薄膜沉积技术,其核心在于通过交替、自限制的表面化学反应,在基底上逐层生长薄膜。每个反应循环通常包含两个(或多个)半反应步骤:前驱体A脉冲:第一种前驱体
薄膜沉积,这门在微观尺度上“添砖加瓦”的精妙艺术
来源:厦门毅睿科技有限公司在现代科技的核心领域,从微小的芯片到巨大的太阳能电池板,从手机屏幕到航天器的防护层,一种看似不起眼却至关重要的技术支撑着无数创新——这就是薄膜沉积技术。它如同微观世界的精密“画笔”,在各类基底表面“绘制”出厚度从纳米到微米级的超薄材料层,赋予基体全新的光学、电学、机械或化学
ALD赋能未来产业
当台积电在其最新的2纳米制程中精准控制原子级薄膜厚度时,当特斯拉4680电池通过纳米涂层显著提升能量密度时,当柔性折叠屏手机呈现前所未有的耐用性时——在这些尖端技术的幕后,原子层沉积(ALD)技术正悄然发挥着不可替代的作用。作为一种可精确控制薄膜厚度与成分的表面工程技术,ALD通过交替通入前驱体气体,在基底表面
软包电池品质与效率的双重飞跃
在能源转型的关键时代,动力电池技术的革新已成为全球竞争的核心赛道。当我们打开智能手机、启动新能源汽车,甚至使用便携式储能设备时,软包电池凭借其轻薄柔韧的形态,悄然成为现代能源解决方案的关键载体。随着材料科学、结构设计和制造工艺的不断突破,新一代软包电池技术正以前所未有的速度重塑能源存储的未来图景。&n
我国清华大学研制的忆阻器存算一体芯片突破“内存墙”瓶颈
2023年10月,清华大学宣布研制出全球首颗全系统集成的忆阻器存算一体芯片,这确实是一个具有里程碑意义的重大突破,对未来科技发展和产业格局将产生深远影响。其核心意义在于验证并推进了“存算一体”这一颠覆传统计算架构的新范式。第一章:以下是其可能带来的主要影响:一 、突破“内存墙”瓶颈,实现计算能效的指数级提升
锂电池技术将朝着多元化方向发展是必然趋势
未来锂电池技术将朝着多元化方向发展。在材料体系方面,富锂锰基正极、锂金属负极和固态电解质等技术有望实现突破。在电池设计方面,结构创新(如CTP、刀片电池)和系统集成将进一步提升能量密度和安全性。智能化也是重要趋势,通过植入传感器和AI算法实现电池状态的实时监测和预测性维护。此外,钠离子电池、锂硫电池等替代技
真空镀膜,创造更好的生活体验
真空镀膜技术作为现代制造业中的一项关键工艺,已广泛应用于多个工业领域。这种技术通过在真空环境下将材料以原子或分子形式沉积到基材表面,形成具有特定功能的薄膜层。随着科技的进步和工业需求的多样化,真空镀膜设备的功能不断完善,应用范围持续扩大,成为推动多个行业技术革新的重要工具。电子与半导体行业在电子与半

微信客服

全国服务热线

13774692374