半导体材料作为芯片产业的 “基石”,始终随着半导体行业的周期性波动而起伏。当行业陷入下行周期时,材料企业往往面临订单缩减、价格承压的困境;而在上行周期中,又会因产能扩张需求迎来爆发式增长。然而,抛开短期的周期扰动,半导体材料行业的长期增长逻辑却在技术迭代、市场扩容与产业转移的多重驱动下愈发清晰。
半导体蒸镀系统
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周期波动中的行业韧性
半导体行业的 “库存周期”“产能周期” 交替上演,直接影响着材料行业的短期表现。2022 年至 2023 年,全球芯片需求疲软,晶圆厂扩产节奏放缓,半导体材料市场规模同比增速从 2021 年的 15.3% 降至 3.2%,光刻胶、靶材等细分产品价格出现 5%-10% 的回落。这种周期性调整并非首次,2008 年金融危机、2018 年贸易摩擦期间,材料行业均经历过类似的波动。
但值得注意的是,半导体材料行业的抗周期能力正在逐步增强。一方面,材料在芯片成本中的占比从 2010 年的 15% 提升至当前的 22%,晶圆厂为保证良率,对高端材料的采购需求更具刚性。例如,在 2023 年行业下行期,用于先进制程的 ArF 光刻胶出货量仅下降 2%,远低于芯片整体需求降幅。另一方面,材料企业通过 “长单模式” 锁定长期订单,头部企业与台积电、三星等晶圆厂的合作周期普遍超过 5 年,有效平滑了短期波动。
从历史数据来看,半导体材料市场的复苏往往领先于行业整体。2019 年全球半导体市场触底反弹前,光刻胶、电子特气等材料的订单量已提前 3 个季度回升;2023 年下半年,随着 AI 芯片需求爆发,8 英寸晶圆厂产能利用率回升至 80% 以上,带动抛光液、溅射靶材等材料的采购量环比增长 12%,显示出材料行业对周期拐点的敏感反应。
技术迭代:长期增长的核心引擎
半导体材料行业的长期增长,本质上是由 “制程升级” 与 “结构创新” 双重技术迭代驱动的。每一次制程从 14nm 向 7nm、5nm 突破,都伴随着材料体系的全面革新,推动市场需求扩容。
在先进制程领域,材料性能的极限挑战催生新的增长空间。为实现 3nm 及以下制程,传统硅基材料逐渐让位于创新方案:EUV 光刻胶的分辨率需提升至 13.5nm,纯度要求达到 99.9999999%;金属有机化合物(MO 源)的杂质含量需控制在 1ppb 以下,以满足原子层沉积(ALD)工艺的要求。这些高性能材料的单价是传统产品的 3-5 倍,带动整体市场规模增长。据 SEMI 预测,2025 年先进制程材料市场将突破 200 亿美元,2020-2025 年复合增长率达 11.8%。
原子层沉积系统
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在成熟制程领域,“More than Moore” 战略推动材料需求多元化。汽车芯片、功率半导体等领域对 8 英寸晶圆的需求持续旺盛,带动了硅片、封装材料的结构性增长。例如,车规级功率器件所用的电子级硅材料,因需通过 AEC-Q100 认证,其溢价空间比消费级产品高 20% 以上;而 SiC、GaN 等宽禁带半导体材料,在新能源汽车、光伏逆变器中的应用渗透率从 2020 年的 5% 提升至 2023 年的 18%,市场规模年增速超过 40%。
市场扩容:新兴领域的增量空间
除了传统的逻辑芯片、存储芯片市场,新兴领域的崛起正在为半导体材料行业开辟第二增长曲线。AI、新能源汽车、光伏等产业的爆发,对芯片的性能、功耗提出新要求,间接推动材料需求升级。
AI 芯片的算力竞赛带动高端材料需求激增。为实现每秒百亿次运算,GPU 芯片的晶体管密度较传统 CPU 提升 3 倍,对光刻胶的灵敏度、均匀性要求更高。2023 年用于 AI 芯片制造的 KrF 光刻胶需求量同比增长 45%,高纯度铝靶材的采购量增长 38%。同时,HBM(高带宽内存)的普及推动键合材料升级,用于 3D 堆叠的封装胶市场规模从 2021 年的 8 亿美元增至 2023 年的 17 亿美元。
新能源汽车的电动化与智能化,重构了半导体材料的需求结构。每辆新能源汽车的半导体含量达 1500 美元,是传统燃油车的 5 倍,其中功率半导体所需的 SiC 衬底、封装用导热凝胶等材料需求爆发。2023 年全球车用 SiC 材料市场规模突破 12 亿美元,预计 2025 年将达到 35 亿美元;用于车规级芯片的电子特气,因需通过严苛的可靠性测试,市场份额以每年 15% 的速度增长。
产业转移:本土化带来的结构性机遇
全球半导体产业链的区域化布局,正在重塑半导体材料的市场格局。中国、东南亚等新兴市场的本土化产能扩张,为材料企业提供了新的增长极。
中国半导体材料的国产化率从 2017 年的 12% 提升至 2023 年的 28%,在多个细分领域实现突破。光刻胶领域,上海新阳的 KrF 光刻胶通过中芯国际验证并实现量产;靶材市场,江丰电子的铝靶材在 14nm 制程的市占率达到 25%;电子特气方面,金宏气体的超高纯氨通过台积电认证,打破海外垄断。这种国产化替代并非短期政策驱动的结果,而是基于成本、响应速度的长期竞争优势 —— 本土材料企业的交货周期比海外企业短 30%,服务成本低 20%。
厦门毅睿科技有限公司自主研发的面向7nm以下先进工艺的微波等离子体增强原子层沉积(MW-PEALD)系统。核心为自主设计的谐振导波腔,利用2.45GHz微波电源激发高密度、均匀的低温等离子体,实现了大尺寸晶圆条件下薄膜厚度和界面质量的精准可控,能够有效降低器件制造过程中界面缺陷及颗粒污染等问题。
微波等离子体辅助原子层沉积系统利用微波能量激发等离子体,通过周期性交替引入前驱体和反应气体,在基底表面实现原子级别的薄膜沉积。微波等离子体相较于传统射频等离子体拥有更高的激发效率和均匀性,有助于在较低基底温度下实现高质量薄膜的快速生长,降低热应力对材料结构的影响,拓展了对热敏感基底的应用范围。微波等离子体具有高密度、低电子温度和高反应活性的特点,可有效促进前驱体分解和薄膜的致密生长,从而显著提升沉积速率和材料质量。该系统广泛适用于半导体、光电子、储能及传感器等领域,可用于高k介质、氧化物、氮化物及金属等多种薄膜材料的原子层沉积。
面向7nm以下先进工艺的微波等离子体增强原子层沉积(MW-PEALD)系统
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东南亚、印度等新兴市场的晶圆厂建设同样带来增量需求。2023 年英特尔在马来西亚的 14nm 晶圆厂投产,带动当地光刻胶、抛光垫采购量增长 40%;台积电在印度的封装厂建设,推动了环氧树脂、引线框架等材料的出口。这些市场虽然目前规模较小,但随着产能逐步释放,预计 2025 年将贡献全球半导体材料市场 5% 的增量。
穿越周期的企业生存法则
在周期波动中实现长期增长,考验着材料企业的战略定力。头部企业的实践表明,技术研发投入与产业链协同是穿越周期的关键。
持续的研发投入是保持竞争力的核心。2023 年,信越化学、JSR 等国际巨头的研发强度均超过 8%,中国企业的研发投入增速也达到 15%-20%。这种投入不仅指向当前需求,更着眼于未来技术。例如,陶氏化学提前 5 年布局用于 2nm 制程的碳基材料,尽管目前尚未量产,但已在专利数量上占据领先。
与下游晶圆厂的深度绑定则能降低周期风险。东京电子与信越化学联合开发针对 3D NAND 的光刻胶,通过 “共同研发 + 独家供应” 模式,在 2023 年行业下行期仍保持 85% 的产能利用率;中微公司与安集科技合作开发的 CMP 抛光液,随着中微刻蚀机的出货同步进入长江存储供应链,实现 “设备 - 材料” 协同增长。
结语:在波动中锚定长期价值
半导体材料行业的周期性波动是表象,技术迭代的不可逆、市场需求的持续扩容与产业转移的大趋势才是本质。当行业再次进入上行周期时,那些在下行期坚持研发投入、深耕高端市场、绑定核心客户的材料企业,必将在新一轮增长中占据先机。对于投资者与从业者而言,理解周期但不被周期裹挟,方能在波动中捕捉到行业的长期价值。
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