原子层沉积(ALD):纳米级精度的“原子乐高”如何构建芯片

当你在手机上流畅地滑动屏幕时,可能不会想到,支撑这种丝滑体验的芯片内部正在进行着一场原子级别的精密舞蹈。原子层沉积(ALD)技术就像一位隐形的建筑大师,用比头发丝细十万倍的"原子乐高",在芯片上搭建起纳米级的精密结构。正是这项技术,让7nm、5nm甚至更先进的芯片制程成为可能。

从"漏电危机"到省电奇迹:ALD如何拯救手机芯片

手机芯片进入7nm以下制程后,工程师们遇到了一个棘手问题:晶体管栅极的二氧化硅绝缘层薄到仅几个原子厚度时,电子会像穿墙术一样发生量子隧穿,导致严重的漏电现象。这就像水龙头关不紧不断滴水,不仅浪费电力,还会造成芯片发热。

ALD技术通过沉积高介电常数(High-k)材料完美解决了这一难题。以氧化铪(HfO₂)为例,ALD可以精确控制每层原子的排列,在相同电容下使用更厚的绝缘层。就像给水管加装高质量密封圈,既保证水流控制又防止渗漏。实测显示,采用ALD沉积High-k材料的手机芯片,功耗降低达40%,性能却提升20%。

这种原子级的控制能力源自ALD独特的自限制反应机制。前驱体气体像接力赛一样交替进入反应腔,每次只与表面活性位点反应一层就自动停止。通过精确计算循环次数,工程师能像搭积木一样,以0.1纳米的精度堆叠材料。正是这种"原子乐高"般的能力,让摩尔定律在物理极限边缘得以延续。

千层蛋糕的"奶油魔法":ALD在3D NAND中的精密堆叠

如果把存储芯片比作千层蛋糕,那么ALD就是那位能让每层奶油均匀到原子级的面点大师。在3D NAND存储器中,ALD技术展现了令人惊叹的保形性——即使面对比人头发直径还细的深孔结构,也能在侧壁和底部沉积完全均匀的薄膜。

传统沉积技术像用喷枪涂漆,遇到复杂结构时会出现"阴影效应",导致薄膜厚薄不均。而ALD则像分子级的3D打印,通过交替引入三甲基铝和水蒸气,在存储孔的每个角落均匀"刷"上氧化铝绝缘层。这种能力使得3D NAND的堆叠层数从32层跃升至200层以上,单颗芯片容量突破1Tb。

更神奇的是,ALD还能在原子尺度上设计材料的介电特性。通过调整铝、锆等元素的掺杂比例,可以像调音师一样精确"调谐"薄膜的介电常数。这种纳米级的材料工程,让存储器在提升密度的同时,读写速度反而提高30%,擦写寿命延长10倍。

国产突破:ALD设备技术如何打破"卡脖子"困局

2024年底,中国研微半导体交付的首台金属ALD设备震动业界。这台设备能在300mm晶圆上实现铜互连的原子级沉积,填补了国内高端ALD设备的空白。其独创的脉冲气体控制系统,将薄膜均匀性控制在±1%以内,达到国际领先水平。

金属ALD是芯片制造中最难啃的骨头之一。传统铜互连工艺面临电阻率随线宽缩小而飙升的困境,而ALD沉积的钽氮化物(TaN)阻挡层厚度仅2纳米,却能有效阻止铜原子扩散。这就像在纳米级的水管内部镀上一层超薄防锈膜,既保证导电性又延长使用寿命。

突破背后是十年磨一剑的技术积累。从前驱体纯化到反应腔设计,中国团队攻克了50余项关键技术。特别是开发的低温ALD工艺,将沉积温度从350℃降至150℃,使新型二维材料集成成为可能。随着国产ALD设备进入验证阶段,中国芯片产业链正在突破最关键的设备瓶颈。

厦门毅睿科技有限公司的微波等离子体增强原子层沉积(MW-PEALD)系统,利用2.45GHz微波电源激发高密度、均匀的低温等离子体,实现了大尺寸晶圆条件下薄膜厚度和界面质量的精准可控,在高k栅介质、逻辑芯片超薄阻挡层等前沿工艺研究中获得良好应用反馈。

原子级制造的终极战场:ALD未来三大挑战

站在2nm工艺节点门前,ALD技术面临新的极限挑战。选择性沉积成为焦点——就像在纳米尺度的城市中,只在指定区域"种"下特定原子。通过开发新型抑制剂化学物质,研究人员已实现在硅基底上选择性生长金属钨,精度达到5个原子以内。

新材料开发同样迫在眉睫。二维材料如二硫化钼(MoS₂)需要全新的ALD前驱体设计。科学家正在探索有机金属化合物与等离子体辅助工艺的组合,以期在原子层间实现精准掺杂。这就像为纳米级的积木块设计新型连接器,既要牢固又不能影响材料本征特性。

速度与成本的平衡则是产业化的关键。传统ALD每层沉积需数秒,制造一个芯片要重复上万次。空间ALD技术通过分区气体注入,将效率提升10倍;而连续流ALD则像分子级流水线,有望将沉积速率提高至每分钟100纳米。这些创新将决定ALD能否支撑未来芯片的大规模制造。

写在最后:纳米时代的"原子乐高大师"

从解决7nm芯片的漏电危机,到构建3D NAND的千层结构,再到突破国产设备的"卡脖子"困境,ALD技术始终以"精准、均匀、可控"的原子级制造能力,默默塑造着芯片的性能极限。这项技术就像纳米世界的乐高大师,用元素周期表作为积木盒,在肉眼不可见的尺度构建着数字文明的基石。

当我们惊叹于手机性能的飞跃时,不应忘记正是这些原子级别的创新积累,才让芯片持续突破物理极限。未来,从量子计算到柔性电子,ALD的"原子乐高"魔法还将继续拓展人类制造的边界。在这个看不见的纳米战场,中国制造正以原子级的精度,书写着属于自己的产业传奇。


返回上一级
推荐阅读
四强联手研发固态电池:2030 年实现 800 公里续航目标
据外媒报道,日前,日本主要汽车制造商丰田、日产、本田以及松下公司联手展开了一个新的研发项目--固态电池。锂离子电池技术与评估中心财团( 简称 Libtec )从日本经济产业省那里获得了 1400 万美元的资金支持。固态电池技术现在越来越被认为是电动汽车发展的下一个重大研发方向。这种电池采用的是固体电解质,这能比现在的
绝不自燃?比亚迪全固态电池来了
比亚迪耗时六年研发的全固态电池,终于要落地了。日前,我们从比亚迪内部获悉,比亚迪全固态锂电池在重庆生产即将装车试验,该项目由中国科学院院士、清华大学教授欧阳明高牵头,另有三位院士顾问一同参与研发工作,属于标准的国家级重点项目。据了解,该固态电池在使用硅基材料作为固态电池负极时,能量密度预计能达到400W
固态电池牛皮吹破了?被指技术卡壳:要到2030年量产
新能源汽车产业大火,也带动了动力电池产业极速向前。除了产量和装车量屡创新高外,动力电池的技术发展也引人注目。就目前来看,固态电池是接下来的一大趋势,不过消费者关心的只有一个问题,那就是这玩意到底啥时候量产和上车?据智车派了解,最新的研报显示,目前固态电池的生产等环节仍然有挑战,因此大批量产可能要等到
日本固态电池技术最新突破,日本固态电池研发成功了吗
此前,日本固态电池技术迎来最新突破,日产汽车对外宣布全固态电池研发成功,未来日产纯电动汽车的续航里程将突破1000公里,充电速度提升3倍,安全性大幅提升,且电池成本减少一半。此消息一出迅速引起网友们的激烈讨论,要知道日本当年在新能源汽车领域中,曾孤注一掷地选择了氢能源汽车路线,由于早早构建起专利壁垒,所以
小米下场!最新固态电池技术曝光,1200km纯电续航太凶残!
电车通从企查查官网得知,小米汽车申请的「固态电池复合电极与制备方法及包含其复合电极的固态电池」专利正式公布。一家新能源车企研发固态电池并不是什么新鲜事,只是这事放在小米汽车身上就不一样了:小米汽车有小米 SU7,但目前在汽车行业还不算站稳脚跟,需要更多可以盈利的项目,不算成熟的固态电池项目必会增加小米的
燃油车末日倒计时!2026固态电池量产,续航2000公里碾压油车
燃油车的丧钟真被敲响了?2026年越来越近,车企们关于固态电池的豪言壮语满天飞:丰田说“充电10分钟跑1200公里”,奇瑞宣称“能量密度600Wh/kg,充电5分钟续航400公里”,太蓝新能源甚至搞出720Wh/kg的实验室数据——按这节奏,续航2000公里不是梦。但真相可能泼你一盆冷水。别看车企吹得天花乱坠,全固态电池的“量产”和
奔驰测试固态电池,续航里程近1,000公里
据外媒报道,奔驰目前正在道路上测试搭载全固态电池的电动汽车,这项技术有望让电动汽车实现600英里(约960公里)以上的续航里程。报道称,奔驰已经开始在路上测试搭载固态电池的电动汽车,该公司目前正在英国进行测试,测试车辆是一辆配备固态电池的EQS原型车。奔驰预计新电池可将车辆的续航里程提升约25%。目前,EQS
日本固态电池研发成功:中国车企要有危机感
日产欧洲研发高级副总裁David Moss表示,日产已经成功开发出全固态电池,目标是2025年开始试生产,2028年生产一款由固态电池驱动的全新电动汽车。早前德国宝马集团也宣布,宝马将打造全固态电池中试生产线,2025年推出首辆原型车。国内固态电池板块也在爆发,不少企业也下场开始了固态电池的研发进程,国内已经有部分车企推
日本固态电池弯道超车的可能性存在:中国车企要有危机感
从目前来看,日本固态电池研发成功,并且降低了电池成本的消息,我们一定不能掉以轻心,低估日本在新能源汽车领域研发能力。因为在过去看来,固态电池的研发为何迟迟推进不下去,一大原因在于固态电池的成本非常高,全固态电池的成本是液态电池的四倍,这是它的核心难题。如果把固态电池的成本打下来,固态电池的普及难度就
丰田汽车:固态电池新技术可使成本和重量均减半
丰田公司宣布在固态电池技术上取得了重大突破,能够显著减半电池的重量、体积和成本,这将极大地推动电动汽车的发展。丰田还表示已经简化了固态电池材料的生产过程,能够大幅缩短充电时间并提高续航里程。丰田公司碳中和研发中心的总裁海田敬二表示,丰田已经研发出了提高电池耐久性的方法,并相信可以制造出续航里程为1200

微信客服

全国服务热线

13774692374